主要(yào / yāo)産品工藝路線：

       主要(yào / yāo)産品按照技術路線分爲(wéi / wèi)以(yǐ)下幾類：一(yī / yì ／yí)，高溫固相反應工藝；二，熔煉鑄造工藝；三，真空蒸餾法提純工藝。闡述如下:

   高溫固相反應工藝

      高溫固相反應工藝簡介

      高溫固相合成是(shì)在(zài)高溫下，固體界面間經過接觸、反應、成核、晶體生長反應而(ér)生成一(yī / yì ／yí)大(dà)批化合物。高溫固相法制備工藝簡單，合成的(de)粉體無團聚、填充性好，具有成本低、産量大(dà)等優點，是(shì)工業生産上(shàng)常用的(de)方法。将反應原料按不(bù)同摩爾比精确稱量，混勻後裝入塗碳石英管，經液氧燒結真空封管後裝爐。根據反應原料的(de)不(bù)同性質，控制不(bù)同的(de)反應溫度。

高溫固相合成法的(de)主要(yào / yāo)産品包括碘化亞銅、三硒化二铟、碲化铋等。以(yǐ)三硒化二铟的(de)制備爲(wéi / wèi)例，工藝如下：

      高溫固相反應工藝流程圖

      高溫固相合成硒化铟的(de)工藝步驟

      高溫固相反應生産過程示意圖

      圖1 (a) 石英管塗碳和(hé / huò)液氧燒結的(de)示意圖；(b) 投料後的(de)塗碳石英管實拍圖； (c) 可旋轉高溫反應爐的(de)示意圖和(hé / huò)實物圖； (d) 調節不(bù)同角度的(de)高溫反應爐。

      通過熱力學參數模拟，篩選适宜的(de)起始反應溫度、升溫速率以(yǐ)及調節高低溫角度，在(zài)真空處理下，利用高溫固相直接批量合成法高純多晶硒化铟材料。結合SEM、XRD、TG/DTA以(yǐ)及ICP等分析測試手段，結果表明：①多晶硒化铟材料純度高，晶體結構完整；②降溫過程中的(de)溫度梯度，将原料中可能殘留的(de)少量高蒸汽壓揮發物冷凝在(zài)石英管冷端，從而(ér)實現生産過程的(de)自提純，保證了(le／liǎo)硒化铟的(de)高質量。 

  熔煉鑄造工藝

      熔煉鑄造法工藝簡介

      熔煉鑄造法适用于(yú)制備高純高緻密的(de)靶材，且工藝簡單，可簡述成三步：原料熔煉、澆注成錠、鑄錠加工。熔煉鑄造法的(de)主要(yào / yāo)産品是(shì)高純合金錠，以(yǐ)铟铋錫(In-Bi-Sn)多晶錠爲(wéi / wèi)例，具體工藝參數如下：

      熔煉鑄造法工藝流程圖

      熔煉鑄造法生産過程示意圖

      圖2 (a) 球磨示意圖；(b) 熔煉鑄造爐及其熔煉機理示意圖；(c) 制備的(de)多晶棒的(de)實物圖 (表面光亮呈現鏡面反光)；(d) 晶錠切片示意圖；(e) 經過打磨、抛光後的(de)靶材；(f) 綁定銅背闆後的(de)靶材成品。

      表征結果顯示，铟铋錫多晶錠成分控制精準、均勻性好、雜質含量低、緻密度高，有望作爲(wéi / wèi)一(yī / yì ／yí)種新型濺射靶材應用于(yú)相變儲存薄膜材料。相比于(yú)粉末冶金-熱壓真空法制備的(de)相變存儲靶材，熔煉鑄造工藝簡單、高效、生産成本低，制備的(de)铟铋錫多晶錠尺寸可控，表面光亮，成分均勻，經切片抛光可批量得到(dào)多片In-Bi-Sn靶材。

    真空蒸餾法提純工藝

      真空蒸餾法提純硒工藝簡介

      公司在(zài)常壓蒸餾法的(de)工藝基礎上(shàng)，聯用真空處理技術，使得提純過程不(bù)引入其他(tā)化學物質，且極大(dà)降低蒸餾溫度，提純效率高，生産成本低，綠色環保。真空蒸餾提純硒工藝，儀器結構簡單，密封性好，操作方便。進一(yī / yì ／yí)步提升硒的(de)純度的(de)同時(shí)，增加綜合回收率和(hé / huò)原料的(de)利用率。

      真空蒸餾法提純硒工藝流程圖

      真空蒸餾法提出(chū)硒的(de)工藝步驟

      真空蒸餾法提純硒生産過程示意圖

      真空蒸餾提純硒的(de)生産工藝技術是(shì)清潔、高效、低成本的(de)單質硒提純工藝技術。與其他(tā)方法相比，具有設備簡單、工藝流程短、能耗低、環境友好等優點，對降低生産成本、提高企業高純硒的(de)産量及其他(tā)的(de)回收能力均具有重要(yào / yāo)意義。