應用：磷化铟是(shì)第二代半導體材料，廣泛應用于(yú)光通信、集成電路等領域。5G 時(shí)代技術革 新帶來(lái)以(yǐ)磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）爲(wéi / wèi)代表的(de)第二代半導體材料的(de)蓬勃發展。磷化铟（InP）是(shì)一(yī / yì ／yí)種 III~V 族化合物，閃鋅礦型 晶體結構，晶格常數爲(wéi / wèi) 5.87×10-10 m，禁帶寬度爲(wéi / wèi) 1.34 eV，常溫下遷移率爲(wéi / wèi) 3000~4500 cm2 /(V.S)。InP 晶體具有飽和(hé / huò)電子(zǐ)漂移速度高、抗輻射能力強、導熱性好、光電轉換效率 高等諸多優點，被廣泛應用于(yú)光通信、高頻毫米波器件、光電集成電路和(hé / huò)外層空間用太陽 電池等領域。未來(lái)組件需求将以(yǐ)高速、高頻與高功率等特性，鏈接 5G 通訊、車用電子(zǐ)與 光通訊領域的(de)應用，第二、三代化合物半導體有望突破矽半導體摩爾定律。