99.99%三氧化二镓（Ga2O3)
1，技術對接：電弧法加熱，瞬間使镓氣化，氣化後的(de)镓蒸氣與過量的(de)氧氣CVD化學氣相沉積而(ér)成:4Ga+ 3O2 = 2Ga2O3,不(bù)含任何酸根離子(zǐ)；如：氯離子(zǐ)，硝酸根離子(zǐ)；
2，檢驗： GDMS （99.99%純度：所有的(de)雜質元素低于(yú)100ppm）
XRD：（主峰完全對稱）；激光粒度分析儀：（粒徑：D50<10微米）；
3，服務：提供MSDS及實用的(de)防護措施；提供材料的(de)應用解決方案；
99.99%三氧化二镓（Ga2O3)
1，技術對接：電弧法加熱，瞬間使镓氣化，氣化後的(de)镓蒸氣與過量的(de)氧氣CVD化學氣相沉積而(ér)成:4Ga+ 3O2 = 2Ga2O3,不(bù)含任何酸根離子(zǐ)；如：氯離子(zǐ)，硝酸根離子(zǐ)；
2，檢驗： GDMS （99.99%純度：所有的(de)雜質元素低于(yú)100ppm）
XRD：（主峰完全對稱）；激光粒度分析儀：（粒徑：D50<10微米）；
3，服務：提供MSDS及實用的(de)防護措施；提供材料的(de)應用解決方案；
4，性狀：α-Ga2O3爲(wéi / wèi)六方晶型，β-Ga2O3屬于(yú)單斜晶型;
5，純度：99.99%-99.999%；
6，外觀：白色粉末；
7，包裝：瓶裝：1Kg/瓶，外加鋁複合薄膜真空包裝;
8，應用：TGG單晶，光電子(zǐ)器件，紫外線濾光片等;
