硒化亞銅
分子(zǐ)式： Cu2Se
技術對接：提純單質銅，硒（所用的(de)工藝有：陽極泥富集，電解，真空蒸餾，氫化脫氧，區域熔煉。。。）- 真空熔煉合成2元合金。
檢驗：ICP-MS；XRD;激光粒度分析儀。
服務：提供實用的(de)防護措施，提供材料應用解決方案。
（特别是(shì)濺射，印刷工藝制備銅铟镓硒CIGS薄膜）
可提供技術對接
性質：黑色立方晶體。相對密度6.749。熔點1113℃。。由化學計量的(de)銅和(hé / huò)硒混合物在(zài)真空石英封管内加熱而(ér)得或由銅鹽和(hé / huò)亞硒酸的(de)氨溶液經水合肼還原制得。用作半導體。
硒化亞銅
分子(zǐ)式： Cu2Se
技術對接：提純單質銅，硒（所用的(de)工藝有：陽極泥富集，電解，真空蒸餾，氫化脫氧，區域熔煉。。。）- 真空熔煉合成2元合金。
檢驗：ICP-MS；XRD;激光粒度分析儀。
服務：提供實用的(de)防護措施，提供材料應用解決方案。
（特别是(shì)濺射，印刷工藝制備銅铟镓硒CIGS薄膜）
可提供技術對接
性質：黑色立方晶體。相對密度6.749。熔點1113℃。。由化學計量的(de)銅和(hé / huò)硒混合物在(zài)真空石英封管内加熱而(ér)得或由銅鹽和(hé / huò)亞硒酸的(de)氨溶液經水合肼還原制得。用作半導體。
2，規格：
化學純度：
高純硒化亞銅-05 純度99.999%以(yǐ)上(shàng)，銀，鋁，砷，金，镉，鉻，銅，鐵，鎂，錳，鎳，鉛，錫，鋅雜質總含量小于(yú)10ppm；
超純硒化亞銅-06 純度99.9999%以(yǐ)上(shàng)，銀，鋁，砷，金，镉，鉻，銅，鐵，鎂，鎳，鉛，鋅雜質總含量小于(yú)1ppm。
3，物理性狀：錠，粉，丸，粒，針狀等。
4，用途：
主要(yào / yāo)用于(yú)制備族化合物半導體，硒化亞銅靶材，銅铟镓硒薄膜太陽能電池。
5，包裝：滌綸薄膜包裝後塑料薄膜真空封裝
